FDG6332C - ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KY13-FDG6332C
Hersteller Teil #: FDG6332C
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Factory Lead Time  
10 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins  
6
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
700mA 600mA
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
6 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
PowerTrench®
Published  
2017
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
6
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
300MOhm
Max Power Dissipation  
300mW
Terminal Form  
GULL WING
Current Rating  
700mA
Voltage  
20V
Element Configuration  
Dual
Current  
7A
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
300mW
FET Type  
N and P-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
300m Ω @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
113pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
1.5nC @ 4.5V
Rise Time  
14ns
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Fall Time (Typ)  
14 ns
Continuous Drain Current (ID)  
700mA
Threshold Voltage  
1.1V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
12V
Drain to Source Breakdown Voltage  
20V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj)  
150°C
FET Feature  
Logic Level Gate
Height  
1.1mm
Length  
2mm
Width  
1.25mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FDG6332C 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDG6332C - Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
Verpackung: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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